2026年预算案：新加坡拨款8亿新元用于半导体研发，深化“高影响力”技术能力
一家耗资6000万新元新建的国家级功率电子研发中心将于2026年4月前启用，旨在推动学术界与产业界的合伙业务。
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【新加坡】为巩固其作为全球芯片创新关键枢纽的地位，新加坡将投入约8亿新元用于半导体研发，以加强其在“高影响力”技术领域的能力。
这笔资金将用于新加坡《2030年研究、创新与企业计划》（Research, Innovation and Enterprise 2030，简称RIE2030）下的半导体旗舰计划。该RIE旗舰计划由国务资政兼RIE理事会主席 Lee Hsien Loong 于2025年12月宣布，是RIE2030计划下针对关键经济领域的几项旗舰计划之一。
该计划将协调新加坡由公共资金支持的半导体研发工作，重点关注新加坡“已建立优势”的领域，例如先进封装和先进光子学。
能源、科学与技术主管部长 Tan See Leng 在周一（3月2日）其部门的国会拨款委员会辩论中表示：“该旗舰计划将把研究成果转化为产品，并鼓励更先进的研发和制造业产业群活动，从而为新加坡创造优质就业机会。”
Tan See Leng 博士表示，半导体行业仍然是新加坡经济的关键支柱，对国内生产总值的贡献接近7%。通过以往的RIE投资，新加坡已经建立了强大的研发能力，并在过去四年中吸引了半导体公司总计超过300亿新元的投资。
国家半导体中心
Tan See Leng 博士表示，RIE旗舰计划还将整合国家半导体转化与创新中心（National Semiconductor Translation and Innovation Centre，简称NSTIC）下的各项工作。
新加坡将再投资6000万新元，建立一个新的功率电子NSTIC，专注于开发下一代功率电子能力。
这是在早前为氮化镓、先进光子学和研发制造所建立的NSTIC基础上进行的扩展。
该中心将设有一条开放式创新的8英寸碳化硅（SiC）研发试验线，旨在支持快速原型制作以及向制造业产业群的无缝技术转移。
该中心将对公共和私营部门的用户开放，并将促进行业与学术界之间的合伙业务，以推动包括碳化硅和氮化镓在内的宽禁带半导体技术的商业化。
新加坡科技研究局表示，推动宽禁带材料的发展，是因为传统硅材料日益难以满足数据中心和高性能电动汽车等快速增长行业的高电压和高热量需求。
碳化硅和氮化镓能够提供更高的电压处理能力、更快的开关速度和更强的耐热性，这使得电力系统可以变得更加紧凑，同时减少能源浪费。
功率电子NSTIC预计将于2026年4月前开始运营。
氮化镓NSTIC于2023年启动，并于2025年启用。它为新加坡带来了先进的氮化镓制造业产业群能力，以服务于5G和6G通信、雷达和卫星系统等高增长市场。
Tan See Leng 博士表示，与此同时，先进光子学NSTIC自在RIE2025计划中启动以来，已取得多项突破，包括在高速数据传输和超透镜制造领域。
他说，该中心此后已吸引了超过10个行业合作伙伴，并建立了强大的商业化渠道。
2025年，副总理 Gan Kim Yong 宣布，新加坡将投资建立另一个研发晶圆厂NSTIC，用于半导体研发制造设施。
Tan See Leng 博士表示，该设施预计将于2027年投入运营，各公司已对该设施的协作空间表现出浓厚兴趣。
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